增强型MOS管N沟道 SE8205A SOT23-6封装(图)
| 价 格： | 300.00 |
| 品牌/商标 | SINO-IC | 型号/规格 | SE8205 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | AM/调幅 |
| 封装外形 | SP/特殊外形 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 1（V） | 夹断电压 | 1（V） |
| 低频跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 1（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
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产品类别 型号 封装
| mosfet | SE8205A | SOT23-6 |
- 所属城市：上海 上海市
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MOS管8810(SINO-IC)(图)
信息内容：品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 8810 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 AM/调幅 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600（V） 夹断电压 600（V） 低频跨导 60（μS） 极间电容 800（pF） 低频噪声系数 800（dB） 漏极电流 800（mA） 耗散功率 800（mW）
三极管 BAV99 SINO-IC
信息内容：品牌/商标 SINO-IC 型号/规格 BAV99 应用范围 功率 功率特性 小功率 频率特性 高频 极性 NPN型 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 截止频率fT 1（MHz） 集电极允许电流ICM 1（A） 集电极耗散功率PCM 1（W） 营销方式 厂家直销 产品性质 热销
