品牌/商标 | 三菱 | 型号/规格 | FS2TM-18 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-INM/独立组件 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 0(V) | 夹断电压 | 0(V) |
极间电容 | 0(pF) | 低频噪声系数 | 0(dB) |
漏极电流 | 0(mA) | 耗散功率 | 0(mW) |
品牌/商标 TOSHIBAIBA 型号/规格 2SK2056 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0(V) 夹断电压 0(V) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW)
品牌/商标 富士通 型号/规格 2SK2098 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0(V) 夹断电压 0(V) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW)