场效应管2SK2098
| 价 格： | 0.10 |
| 品牌/商标 | 富士通 | 型号/规格 | 2SK2098 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 0（V） | 夹断电压 | 0（V） |
| 极间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 0（mA） | 耗散功率 | 0（mW） |
- 所属城市：广东 汕头
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大量MOS大电流场效应三极管SUP85N10
信息内容：品牌/商标 哈雷斯 型号/规格 SUP85N10 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 跨导 1（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW） 供应一系列三极管2SD389铁头2SD330铁头2SD1069铁头2SD569铁头2SD634铁头2SD635铁头2SD568铁头2SD1442铁头2SD823铁头2SD866铁头2SD553铁头2SD362铁头2SD363铁头2SD1502铁头dzsc/18/6447/18644781.jpg
三极管FS4UM-12
信息内容：品牌/商标 三菱 型号/规格 FS4UM-12 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 0（mA） 耗散功率 0（mW）
