原装MUR8100EG二极管
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | ON | 型号/规格 | MUR8100EG |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | WAFER/裸芯片 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
- 所属城市：广东 深圳
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原装30WQ10FN肖特基
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 30WQ10FN 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 GE-N-FET锗N沟道 现货批发原装进口IC，量大订货2-3周,欢迎查询订购产品种类:肖特基（二极管与整流器） RoHS:否产品:Schottky Rectifiers 峰值反向电压:100 V正向连续电流:3.5 A 浪涌电流:440 A配置:Single Dual Anode 正向电压下降:0.96 V at 6 A反向漏泄电流:1000 uA 工作温度范围:- 40 C to + 150 C安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DPAK (TO-252AA)
原装BAS45A二三极管
信息内容：品牌/商标 PHILIPS 型号/规格 BAS45A 应用范围 复合 材料 锗(Ge) 极性 NPN型 结构 肖特基 封装形式 功率型 封装材料 树脂封装 BAS45A 原装现货，可供样品，欢迎订购制造商:NXPRoHS:dzsc/18/6218/18621870.gif 详细信息 产品:Switching Diodes峰值反向电压:125 V 正向连续电流:250 mA浪涌电流:625 mA 配置:Single恢复时间:1.5 us 正向电压下降:1 V反向漏泄电流:500 nA 功率耗散:300 mW封装 / 箱体:DO-34 封装:Ammo二极管电容:4 pF 工作温度:+ 175 C最小工作温度:- 65 C 安装风格:Through Hole
