原装30WQ10FN肖特基
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | IR | 型号/规格 | 30WQ10FN |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
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| 产品种类: | 肖特基（二极管与整流器） |
| RoHS: | 否 |
| 产品: | Schottky Rectifiers |
| 峰值反向电压: | 100 V |
| 正向连续电流: | 3.5 A |
| 浪涌电流: | 440 A |
| 配置: | Single Dual Anode |
| 正向电压下降: | 0.96 V at 6 A |
| 反向漏泄电流: | 1000 uA |
| 工作温度范围: | - 40 C to + 150 C |
| 安装风格: | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体: | DPAK (TO-252AA) |
- 所属城市：广东 深圳
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原装BAS45A二三极管
信息内容：品牌/商标 PHILIPS 型号/规格 BAS45A 应用范围 复合 材料 锗(Ge) 极性 NPN型 结构 肖特基 封装形式 功率型 封装材料 树脂封装 BAS45A 原装现货，可供样品，欢迎订购制造商:NXPRoHS:dzsc/18/6218/18621870.gif 详细信息 产品:Switching Diodes峰值反向电压:125 V 正向连续电流:250 mA浪涌电流:625 mA 配置:Single恢复时间:1.5 us 正向电压下降:1 V反向漏泄电流:500 nA 功率耗散:300 mW封装 / 箱体:DO-34 封装:Ammo二极管电容:4 pF 工作温度:+ 175 C最小工作温度:- 65 C 安装风格:Through Hole
PC3SD11YTZAF
信息内容：品牌/商标 SHARP 型号/规格 PC3SD11YTZAF 封装 ORIGINAL 批号 2005 类型 其他IC 现货批发原装进口IC，量大订货2-3周,欢迎查询订购输出设备:PhotoTriac 绝缘电压:5000 Vrms峰值输出电压 (Vdrm):600 V 输入电压:1.4 V输出电压:420 VAC 最小触发电流:10 mA配置:1 Channel 连续输出电流:100 mA输入电流:50 mA 工作温度:+ 100 C反向二极管电压:6 V 开启时间:100 us最小工作温度:- 30 C 输出类型:AC封装 / 箱体:PDIP-6 Standard Pack Qty:1000典型输入电压:1.2 V 零交叉电路:No
