品牌/商标 | ON | 型号/规格 | MUR1560G |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
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描述品牌/商标 TI 型号/规格 SN74LS08DR 封装 SOP 批号 10+ 类型 其他IC 制造商:Texas Instruments产品种类:门(与/非与/或/非或)RoHS:dzsc/18/6208/18620873.gif 详细信息 产品:AND逻辑系列:74LS栅极数量:4线路数量(输入/输出):2 / 1高电平输出电流:- 0.4 mA低电平输出电流:8 mA传播延迟时间:20 ns电源电压(值):5.25 V电源电压(最小值):4.75 V工作温度:+ 70 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:SOIC-14封装:Reel最小工作温度:0 C 输入线路数量:0 输出线路数量:0 Standard Pack Qty:2500欢迎致电垂询 0755-83957869 刘小姐
品牌/商标 ON 型号/规格 MUR8100EG 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 N-FET硅N沟道