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原装50WQ06FN增强型MOS管N沟道
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 50WQ06FN 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CHIP/小型片状 材料 GE-N-FET锗N沟道
原装MUR3020PTG结型场效应管N沟道
信息内容：品牌/商标 ON 型号/规格 MUR3020PTG 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DIFF/差分放大 封装外形 LLCC/无引线陶瓷片载 材料 GE-N-FET锗N沟道 现货批发原装进口IC，量大订货2-3周,欢迎查询订购描述二极管类型:Fast Recovery电压, Vrrm:200V电流, If 平均:30A正向电压 Vf :1.05V时间, trr :35ns电流, Ifs :200A工作温度范围:-65°C 到 +175°C封装形式:TO-218AC针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)封装类型:TO-218AC时间, trr 典型值:35ns电流, Ifsm:200A结温, Tj :175°C表面安装器件:通孔安装
