原装50WQ06FN增强型MOS管N沟道
| 价 格： | 1.10 |
| 品牌/商标 | IR | 型号/规格 | 50WQ06FN |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
- 所属城市：广东 深圳
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原装MUR3020PTG结型场效应管N沟道
信息内容：品牌/商标 ON 型号/规格 MUR3020PTG 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DIFF/差分放大 封装外形 LLCC/无引线陶瓷片载 材料 GE-N-FET锗N沟道 现货批发原装进口IC，量大订货2-3周,欢迎查询订购描述二极管类型:Fast Recovery电压, Vrrm:200V电流, If 平均:30A正向电压 Vf :1.05V时间, trr :35ns电流, Ifs :200A工作温度范围:-65°C 到 +175°C封装形式:TO-218AC针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)封装类型:TO-218AC时间, trr 典型值:35ns电流, Ifsm:200A结温, Tj :175°C表面安装器件:通孔安装
SMAJ40A集成电路IC SO-214
信息内容：品牌/商标 VISHAY 型号/规格 SMAJ40A 封装 SO-214 批号 10+ 类型 其他IC 现货批发原装进口IC，量大订货2-3周,欢迎查询订购产品种类:TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 RoHS:dzsc/18/6204/18620448.gif 详细信息极性:Unidirectional 通道:1 Channel钳位电压:64.5 V 工作电压:40 V封装 / 箱体:DO-214AC 击穿电压:44.4 V端接类型:SMD/SMT 峰值浪涌电流:6.2 A峰值脉冲功率耗散:400 W 工作温度:+ 150 C最小工作温度:- 65 C 封装:Reel尺寸:2.79 mm W x 4.5 mm L x 2.29 mm H 串联:SMAJ
