仙童FAIRCHILD,HGTG12N60A4D
| 价 格： | 4.00 |
| 品牌/商标 | FairChild仙童 | 型号/规格 | HGTG12N60A4D |
| 应用范围 | 功率 | 材料 | 硅(Si) |
| 击穿电压VCBO | 600（V） | 集电极允许电流ICM | 54（A） |
| 集电极耗散功率PCM | 167（W） | 截止频率fT | 0（MHz） |
| 结构 | 点接触型 | 封装形式 | 直插型 |
| 封装材料 | 塑料封装 |
本司只经营全新原装产品，长期备有大量现货,价格优势
深圳市凌通电子主要从事代理功率器件产品，主要致力于推广功率半导体器件的MOFET, IGBT单管及模块, 超快恢复二极管等。
公司的产品主要应用于开关电源AC/DC、逆变电源、UPS/EPS电源、 电焊机等。
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IR功率器件场效应管,IRFP250N
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 IRFP250NPBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 500（V） 夹断电压 1200（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 200（mA） 耗散功率 85（mW） 我公司供应IR(国际整流器公司)功率器件IRFP250NPBF,其耐压为200V,电流为30A, N沟道,全新原装公司只经营全新原装产品，长期备有大量现货,价格有优势！联系人：陈先生联系电话：13724307666 /839810...
仙童场效应管,FQA9N90
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 FQA9N90 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 900（V） 夹断电压 1200（V） 跨导 250（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW） 我公司供应仙童(Fairchild 飞兆)场效应管FQA9N90,其耐压为900V,电流为8.6A, N沟道,全新原装,长期供应,如有需要请联系公司只经营全新原装产品，长期备有大量现货,价格有优势！联系人：陈...
