仙童场效应管,FQA9N90
| 价 格： | 6.00 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD/仙童 | 型号/规格 | FQA9N90 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 900（V） | 夹断电压 | 1200（V） |
| 跨导 | 250（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 1（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
我公司供应仙童(Fairchild 飞兆)场效应管FQA9N90,其耐压为900V,电流为8.6A, N沟道,全新原装,长期供应,如有需要请联系
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IR场效应管，IRFR9024N
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFR9024N 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 55（V） 夹断电压 100（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 4（mA） 耗散功率 38（mW）
IR场效应管，IRFZ44NPBF
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 IRFZ44NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 400（V） 夹断电压 1200（V） 跨导 0（μS） 极间电容 0（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 200（mA） 耗散功率 800（mW）
