SKM75GB128D集成电路IC
| 价 格： | 460.00 |
| 品牌/商标 | SEMIKRON | 型号/规格 | SKM75GB128D |
| 批号 | 08+ | 封装 | IGBT |
| 营销方式 | 现货 | 产品性质 | 热销 |
| 制作工艺 | 半导体集成 | 类型 | 其他IC |
制造商:
SEMIKRON
库存编号:
1330039
制造商编号:
SKM 75GB128D
RoHS协从产品:dzsc/18/6137/18613772.jpg是
描述
- 晶体管类型:IGBT Module
- 晶体管极性:N Channel
- 电压, Vces:1200V
- 连续电流, Ic:100A
- 饱和电压, Vce sat :1.15V
- 封装类型:SEMITRANS 2
- 表面安装器件:螺丝安装
- 上升时间:35ns
- 下降时间:65ns
- 外宽:94mm
- 外部深度:30.5mm
- 外部长度/高度:26mm
- 安装孔中心距:80mm
- 晶体管数:2
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 电压, Vceo:1200V
- 集电极电流, Ic 平均值:100A
- 集电极连续电流, Ic 值:70A
- 所属城市：上海 上海市
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 侯林
- 电话：21-58217591
- 传真：21-58217591
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MOSFET耗尽型N沟道20N06
信息内容：品牌/商标 ON 型号/规格 20N06 封装形式 DPAK 种类 MOSFET 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 制造商: ON SEMICONDUCTOR 库存编号: 1459160 制造商编号: NTD20N06GRoHS协从产品:dzsc/18/6140/18614007.jpgY-Ex描述晶体管类型:MOSFET晶体管极性:N电压, Vds 典型值:60V电流, Id 连续:20A开态电阻, Rds(on):0.0375ohm电压 Vgs @ Rds on 测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:2.91V封装类型:DPAK表面安装器件:表面安装功率, Pd:60W单脉冲雪崩能量 Eas:170mJ热阻, 结至外壳 A:2.5°C/W电压, Vds :60V电流, Idm 脉冲:60A阈值电压, Vgs th :2V阈值电压, Vgs th :4V
20CTQ150
信息内容：品牌/商标 VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER 型号/规格 20CTQ150PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 制造商: VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER 库存编号: 8657033 制造商编号: 20CTQ150PBFRoHS协从产品:dzsc/18/6140/18614079.jpg是描述二极管类型:Schottky电压, Vrrm:150V电流, If 平均:10A电流, Ifsm:1030A正向电压 Vf :0.83V结温, Tj :175°C表面安装器件:通孔安装工作温度范围:-55°C to +175°C封装类型:TO-220AB针脚数:3Diode Case Style:TO-220AB正向电压, 于If:1V正向电流 If:20mA电流, Ifs :1030A单脉冲雪崩能量 Eas:2.45mJ
