MOSFET耗尽型N沟道20N06
| 价 格： | 3.80 |
| 品牌/商标 | ON | 型号/规格 | 20N06 |
| 封装形式 | DPAK | 种类 | MOSFET |
| 沟道类型 | N沟道 | 导电方式 | 耗尽型 |
制造商:
ON SEMICONDUCTOR
库存编号:
1459160
制造商编号:
NTD20N06G
RoHS协从产品:dzsc/18/6140/18614007.jpgY-Ex
描述
- 晶体管类型:MOSFET
- 晶体管极性:N
- 电压, Vds 典型值:60V
- 电流, Id 连续:20A
- 开态电阻, Rds(on):0.0375ohm
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.91V
- 封装类型:DPAK
- 表面安装器件:表面安装
- 功率, Pd:60W
- 单脉冲雪崩能量 Eas:170mJ
- 热阻, 结至外壳 A:2.5°C/W
- 电压, Vds :60V
- 电流, Idm 脉冲:60A
- 阈值电压, Vgs th :2V
- 阈值电压, Vgs th :4V
- 所属城市：上海 上海市
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- 联系人： 侯林
- 电话：21-58217591
- 传真：21-58217591
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20CTQ150
信息内容：品牌/商标 VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER 型号/规格 20CTQ150PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 制造商: VISHAY-FORMERLY INTERNATIONAL RECTIFIER 库存编号: 8657033 制造商编号: 20CTQ150PBFRoHS协从产品:dzsc/18/6140/18614079.jpg是描述二极管类型:Schottky电压, Vrrm:150V电流, If 平均:10A电流, Ifsm:1030A正向电压 Vf :0.83V结温, Tj :175°C表面安装器件:通孔安装工作温度范围:-55°C to +175°C封装类型:TO-220AB针脚数:3Diode Case Style:TO-220AB正向电压, 于If:1V正向电流 If:20mA电流, Ifs :1030A单脉冲雪崩能量 Eas:2.45mJ
集成电路ICAD7656，热销
信息内容：品牌/商标 AD 型号/规格 AD7656YSTZ 批号 08+ 封装 LQFP 营销方式 现货 产品性质 热销 类型 通信IC 制造商: ANALOG DEVICES 库存编号: 1274233 制造商编号: AD7656YSTZRoHS协从产品:dzsc/18/6143/18614336.jpg是描述分辨率, 比特:16bit采样率:250kSPS通道数:6输入类型:Single Ended接口类型:Parallel, Serial, SPI电源电压 最小:5V电源电压 :15V表面安装器件:表面安装封装类型:LQFP针脚数:64工作温度范围:-40°C to +125°C位数:16器件标号:7656封装类型:剥式工作温度:-40°C工作温度:125°C转换时间:3.1µsIC Case Style:LQFP
