品牌/商标 | CY | 型号/规格 | S9014 |
应用范围 | 放大 | 功率特性 | 大功率 |
频率特性 | 超高频 | 极性 | NPN型 |
结构 | 面接触型 | 材料 | 硅(Si) |
封装形式 | 直插型 | 封装材料 | 金属封装 |
截止频率fT | 8(MHz) | 集电极允许电流ICM | 78(A) |
集电极耗散功率PCM | 87(W) | 营销方式 | 厂家直销 |
产品性质 | 热销 |
Silicon Epitaxial Planar Transistor 2SA812
Document number: BL/SSSTC010 www.galaxycn.com
Rev.A 1
FEATURES
z Commplementary to 2SC1623.
Pb
Lead-free
z High DC current gain:h
FE
=200typ.
(V
CE
=-6.0V,I
C
=-1.0mA)
z High Voltage: V
CEO
=-50V
品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 IRFZ46 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 CHOP/斩波、限幅 封装外形 CHIP/小型片状 材料 GaAS-FET砷化镓 开启电压 576(V) 夹断电压 6(V) 低频跨导 65(μS) 极间电容 6(pF) 低频噪声系数 5(dB) 漏极电流 56(mA) 耗散功率 65(mW) 欢迎订购···联系电话:0769-83430490联系人:洪杰扬 请来电咨询···注意:可开17点增值税发票 TEL:0769-83430490 ...