品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | IRFZ46 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | CHOP/斩波、限幅 |
封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | GaAS-FET砷化镓 |
开启电压 | 576(V) | 夹断电压 | 6(V) |
低频跨导 | 65(μS) | 极间电容 | 6(pF) |
低频噪声系数 | 5(dB) | 漏极电流 | 56(mA) |
耗散功率 | 65(mW) |
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品牌/商标 CY 型号/规格 0805 1P~100P 介质材料 复合介质 应用范围 耦合 外形 圆片形 功率特性 中功率 频率特性 超高频 调节方式 可变 引线类型 轴向引出线 允许偏差 ±20(%) 耐压值 2000(V) 标称容量 6000 损耗 0.0026 额定电压 18(V) 额定电流 18(A)
应用范围 振荡 种类 电感线圈 品牌/商标 风华 型号/规格 全系列 封装形式 色环电感 绕线形式 单层密绕式 导磁体性质 铜芯 磁芯形状 环形 工作频率 中频 安装方式 贴片式 骨架材料 陶瓷 品质因数Q 64 电感量 W(mH) 额定电流 456(mA) 分布电容 456(F) 欢迎订购···联系电话:0769-83430490联系人:陈R注意:可开17点增值税发票DATA SHEETProduct specificationSupersedes data of 1997 Apr 171999 Apr 12DISCRETE SEMICONDUCTORSBC856; BC857PNP general purpose transisto...