优质场效应管MJE3055T/MJE2955T
| 价 格： | 1.30 |
| 品牌/商标 | ST | 型号/规格 | MJE3055T TO-220 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 |
| 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
☆★SGS-THOMSON PREFERRED SALESTYPES
☆★COMPLEMENTARY PNP - NPN DEVICES
DESCRIPTION
The MJE3055T is a silicon epitaxial-base NPN
transistor in Jedec TO-220 package. It is
intended for power switching circuits and
general-purpose amplifiers. The complementary
PNP type is MJE2955T.
- 所属城市：广东 东莞
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优质三极管MJE13003/ALJ13003
信息内容：品牌/商标 广半/龙晶微/NEC 型号/规格 13003 TO-126 应用范围 功率 功率特性 小功率 极性 NPN型 结构 平面型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 截止频率fT 5（MHz） 集电极允许电流ICM 1.5（A） 集电极耗散功率PCM 1.5（W） 营销方式 厂家直销 产品性质 热销
优质三极管MEJ13001 /ALJ13001
信息内容：品牌/商标 龙晶微/威森/广半 型号/规格 MJE13001 TO-92 应用范围 功率 功率特性 小功率 极性 NPN型 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 截止频率fT 8（MHz） 集电极允许电流ICM 0.2（A） 集电极耗散功率PCM 0.75（W） 营销方式 厂家直销 产品性质 热销 dzsc/18/6225/18622596.jpgFEATURESPower dissipationPCM : 1.2 W（Tamb=25℃）Collector currentICM : 0.2 ACollector-base voltageV(BR)CBO : 600 VOperating and storage junction temperature rangeTJ，Tstg: -55℃ to +150℃
