品牌/商标 | TOP | 型号/规格 | TOP223Y |
应用范围 | 功率 | 功率特性 | 中功率 |
频率特性 | 超高频 | 极性 | NPN型 |
结构 | 点接触型 | 材料 | 锗(Ge) |
封装形式 | 直插型 | 封装材料 | 金属封装 |
截止频率fT | 1(MHz) | 集电极允许电流ICM | 1(A) |
集电极耗散功率PCM | 1(W) | 营销方式 | 拆机 |
产品性质 | 热销 |
品牌/商标 进口 型号/规格 IRF530,IRF730 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 AM/调幅 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GaAS-FET砷化镓 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 低频跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW) 批发与零售世界各DIP、SMD集成电路,三极管,电解电容,桥堆,场效应,肖特基,快恢复管等拆机电子元器件。型号齐全,货源充足,一直本着“质量、信誉至上、以诚待人、价格合理、交货快捷”的经...
品牌/商标 FUI日本富士通 型号/规格 2SK1936.2SK727,2SK1937,2SK1940,2SK1944 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 低频跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW)