拆机场效管ＩＲＦ５３０，ＩＲＦ７３０
| 价 格： | 0.45 |
| 品牌/商标 | 进口 | 型号/规格 | IRF530，IRF730 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | AM/调幅 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GaAS-FET砷化镓 |
| 开启电压 | 1（V） | 夹断电压 | 1（V） |
| 低频跨导 | 1（μS） | 极间电容 | 1（pF） |
| 低频噪声系数 | 1（dB） | 漏极电流 | 1（mA） |
| 耗散功率 | 1（mW） |
批发与零售世界各DIP、SMD集成电路，三极管,电解电容，桥堆，场效应，肖特基，快恢复管等拆机电子元器件。型号齐全，货源充足，一直本着“质量、信誉至上、以诚待人、价格合理、交货快捷”的经营宗旨。可免费提供芯片可靠技术资料和参数，竭力打造全方位优质服务，赢得了广大客户的支持及信赖，业务发展迅速，客户已遍布全国各地。提供电子配套和邮购服务，并采用多种发货方式，使客户能及时收到货，真正做到了急客户所急，想客户所想。联系电话：0754-82331186
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结型场效应管N沟道2SK1936.2SK727,2SK1937 拆机
信息内容：品牌/商标 FUI日本富士通 型号/规格 2SK1936.2SK727,2SK1937,2SK1940,2SK1944 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 低频跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
拆机场效应管FK18SM FK18SM-12
信息内容：品牌/商标 MIT日本三菱 型号/规格 FK18SM.FK18SM-12 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 AM/调幅 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 600（V） 夹断电压 600（V） 低频跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 18（mA） 耗散功率 180（mW） 拆机场效应管FK18SM FK18SM-12拆机场效应管FK18SM FK18SM-12拆机场效应管FK18SM FK18SM-12拆机场效应管FK18SM FK18SM-12拆机场效应管FK18SM FK18SM-12 拆机场效应管FK18SM FK18SM-12拆机场效应管FK18SM FK18SM-12拆机场效应管FK18SM FK18SM-1...
