品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | 2SB1197 |
应用范围 | 放大 | 材料 | 硅(Si) |
极性 | PNP型 | 击穿电压VCBO | 32(V) |
集电极允许电流ICM | 0(A) | 集电极耗散功率PCM | 0(W) |
截止频率fT | 200(MHz) | 结构 | 面接触型 |
封装形式 | 贴片型 | 封装材料 | 塑料封装 |
2SB1197K |
SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 |
SOT-346 Package Top |
3,000 |
分离式半导体产品 |
晶体管(BJT) - 单路 |
- |
PNP |
800mA |
32V |
500mV @ 50mA, 500mA |
- |
120 @ 100mA, 3V |
200mW |
200MHz |
表面贴装 |
SC-59-3,SMT3,SOT-346,TO-236 |
品牌/商标 国产 型号/规格 MMBT4403 应用范围 放大 极性 PNP型 击穿电压VCBO 40(V) 集电极允许电流ICM 1.5(A) 集电极耗散功率PCM 0(W) 截止频率fT 200(MHz) 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 数据列表MMBT4403LT1产品相片SOT-23-3产品变化通告Wire Change 08/May/2007标准包装10,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)()600mA电压 - 集电极发射极击穿()40VIb、Ic条件下的Vce饱和度()750mV @ 50mA, 500mA电流 - 集电极截止()-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 150mA, 2V功率 - 225mW频率 - 转换200MHz安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-...
品牌/商标 国产 型号/规格 BC858 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 30(V) 截止频率fT 100(MHz) 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA TRANSISTOR PNP 25V 800MA SOT-23数据列表BC856, 57,58产品相片SOT-23-3标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)()100mA电压 - 集电极发射极击穿()30VIb、Ic条件下的Vce饱和度()650mV @ 5mA, 100mA电流 - 集电极截止()-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)220 @ 2mA, 5V功率 - 250mW频率 - 转换100MHz安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-23-3供应商设备封装TO-236AB包装带卷 (TR)