品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | MMBT4403 |
应用范围 | 放大 | 极性 | PNP型 |
击穿电压VCBO | 40(V) | 集电极允许电流ICM | 1.5(A) |
集电极耗散功率PCM | 0(W) | 截止频率fT | 200(MHz) |
结构 | 面接触型 | 封装形式 | 贴片型 |
封装材料 | 塑料封装 |
MMBT4403LT1 |
SOT-23-3 |
Wire Change 08/May/2007 |
10,000 |
分离式半导体产品 |
晶体管(BJT) - 单路 |
- |
PNP |
600mA |
40V |
750mV @ 50mA, 500mA |
- |
100 @ 150mA, 2V |
225mW |
200MHz |
表面贴装 |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
SOT-23-3 |
品牌/商标 国产 型号/规格 BC858 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 30(V) 截止频率fT 100(MHz) 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA TRANSISTOR PNP 25V 800MA SOT-23数据列表BC856, 57,58产品相片SOT-23-3标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型PNP电流 - 集电极 (Ic)()100mA电压 - 集电极发射极击穿()30VIb、Ic条件下的Vce饱和度()650mV @ 5mA, 100mA电流 - 集电极截止()-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)220 @ 2mA, 5V功率 - 250mW频率 - 转换100MHz安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-23-3供应商设备封装TO-236AB包装带卷 (TR)
品牌/商标 ON安森美 型号/规格 MBR20200CTG 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO 2000(V) 集电极允许电流ICM 20(A) 结构 点接触型 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 数据列表MBR20(80,90,100)CT产品相片488-TO-220AB产品目录绘图TO-220AB, TO-220, TO-220 ISO标准包装50类别分离式半导体产品家庭二极管,整流器 - 阵列系列SWITCHMODE™电压 - 在 If 时为正向 (Vf)()850mV @ 10A电流 - 在 Vr 时反向漏电100µA @ 100V电流 - 平均整流 (Io)(每个二极管)10A电压 - (Vr)()100V反向恢复时间(trr)-二极管型肖特基速度快速恢复 =< 500 ns,> 200mA (Io)二极管配置1 对共阴极安装类型通孔封装/外壳TO-220-3供应商设备封装TO-220AB