P沟MOSF管NDS9400
| 价 格： | 3.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | NDS9400 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | P-FET硅P沟道 | 开启电压 | 30（V） |
| 夹断电压 | 0（V） | 跨导 | 0（μS） |
| 极间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 0（mA） | 耗散功率 | 0（mW） |
SO8, P沟MOSFET
| NDS9400A |
| 8-SOIC |
| High Voltage Switches for Power Processing SMPS Power Switch |
| Mold Compound Change 12/Dec/2007 Product Discontinuation 09/Sept/2008 |
| Power MOSFET, 8-SOP, SO-8 |
| 2,500 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| - |
| MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 130 毫欧 @ 1A, 10V |
| 30V |
| 3.4A |
| 2.8V @ 250µA |
| 25nC @ 10V |
| 350pF @ 10V |
| 1W |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 8-SOICN |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管NDT453N
信息内容：品牌/商标 Federick美国 型号/规格 NDT453N 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 MES金属半导体 开启电压 30（V） 夹断电压 10（V） 跨导 0（μS） 极间电容 890（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 800（mA） 耗散功率 1100（mW） SOT-223, N沟MOSFET类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C28 毫欧 @ 8A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电...
MMBTA44.sot-23放大三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 MMBTA44 应用范围 放大 极性 NPN型 击穿电压VCBO 400（V） 截止频率fT 50（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA Small Signal Transistors PNP General Purpos数据列表MMBTA42产品相片SOT-23-3标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)（）100mA电压 - 集电极发射极击穿（）300VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）500mV @ 2mA, 20mA电流 - 集电极截止（）-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)40 @ 30mA, 10V功率 - 250mW频率 - 转换50MHz安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-23-3供应商设备封装TO-236AB包装带卷 (TR)
