N沟MOSF管NDT453N
| 价 格： | 1.50 |
| 品牌/商标 | Federick美国 | 型号/规格 | NDT453N |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | CC/恒流 |
| 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | MES金属半导体 |
| 开启电压 | 30（V） | 夹断电压 | 10（V） |
| 跨导 | 0（μS） | 极间电容 | 890（pF） |
| 低频噪声系数 | 0（dB） | 漏极电流 | 800（mA） |
| 耗散功率 | 1100（mW） |
SOT-223, N沟MOSFET
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| - |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 28 毫欧 @ 8A, 10V |
| 30V |
| 8A |
| 3V @ 250µA |
| 35nC @ 10V |
| 890pF @ 15V |
| 1.1W |
| 表面贴装 |
| TO-261-4, TO-261AA |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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MMBTA44.sot-23放大三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 MMBTA44 应用范围 放大 极性 NPN型 击穿电压VCBO 400（V） 截止频率fT 50（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA Small Signal Transistors PNP General Purpos数据列表MMBTA42产品相片SOT-23-3标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)（）100mA电压 - 集电极发射极击穿（）300VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）500mV @ 2mA, 20mA电流 - 集电极截止（）-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)40 @ 30mA, 10V功率 - 250mW频率 - 转换50MHz安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-23-3供应商设备封装TO-236AB包装带卷 (TR)
肖特基二极管SK26.DO-214AA
信息内容：产品类型 肖特基管 品牌/商标 国产 型号/规格 SK26 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 功率特性 大功率 频率特性 高频 发光强度角分布 标准型 反向电压VR 60（V） 正向直流电流IF 2（A）
