S9014.TO-92A.SOT-23
| 价 格： | 0.20 |
| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | S9014 |
| 应用范围 | 放大 | 极性 | NPN型 |
| 击穿电压VCBO | 45（V） | 截止频率fT | 270（MHz） |
| 结构 | 面接触型 | 封装形式 | 贴片型 |
| 封装材料 | 塑料封装 |
NA Small Signal Transistors PNP General Purpos
| SS9014 |
| TO-92-3(StandardBody),TO-226_straightlead |
| Fe Wire Change 12/Oct/2007 |
| 1,000 |
| 分离式半导体产品 |
| 晶体管(BJT) - 单路 |
| - |
| NPN |
| 100mA |
| 45V |
| 300mV @ 5mA, 100mA |
| - |
| 100 @ 1mA, 5V |
| 450mW |
| 270MHz |
- 所属城市：广东 深圳
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FMMT458放大三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 FMMT458 应用范围 放大 击穿电压VCBO 400（V） 集电极允许电流ICM 5（A） 集电极耗散功率PCM 0（W） 截止频率fT 50（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA TRANS HP NPN 400V 225MA SOT23-3数据列表FMMT458产品相片SOT-23-3产品目录绘图SOT-23 PackageSOT-23 Top标准包装1类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)（）225mA电压 - 集电极发射极击穿（）400VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）500mV @ 6mA, 50mA电流 - 集电极截止（）100nA在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 50mA, 10V功率 - 500mW频率 - 转换50MHz安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-23-3供应商设备封装SOT-23-3
N沟MOSF管IRF520NS
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF520NS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 开启电压 10（V） 夹断电压 100（V） 跨导 0（μS） 极间电容 360（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 920（mA） 耗散功率 3700（mW） TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C270 毫欧 @ 5.5A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.2AId 时...
