FMMT458放大三极管
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | FMMT458 |
| 应用范围 | 放大 | 击穿电压VCBO | 400（V） |
| 集电极允许电流ICM | 5（A） | 集电极耗散功率PCM | 0（W） |
| 截止频率fT | 50（MHz） | 结构 | 面接触型 |
| 封装形式 | 贴片型 | 封装材料 | 塑料封装 |
NA TRANS HP NPN 400V 225MA SOT23-3
| FMMT458 |
| SOT-23-3 |
| SOT-23 Package SOT-23 Top |
| 1 |
| 分离式半导体产品 |
| 晶体管(BJT) - 单路 |
| - |
| NPN |
| 225mA |
| 400V |
| 500mV @ 6mA, 50mA |
| 100nA |
| 100 @ 50mA, 10V |
| 500mW |
| 50MHz |
| 表面贴装 |
| TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| SOT-23-3 |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRF520NS
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF520NS 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 开启电压 10（V） 夹断电压 100（V） 跨导 0（μS） 极间电容 360（pF） 低频噪声系数 0（dB） 漏极电流 920（mA） 耗散功率 3700（mW） TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C270 毫欧 @ 5.5A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.2AId 时...
TVS二极管PESD3V3L2BT T/R
信息内容：产品类型 瞬变抑制二极管 品牌/商标 进口 型号/规格 PESD3V3L2BT T/R 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 出光面特征 微型管 发光强度角分布 标准型 反向电压VR 3.3（V） 正向直流电流IF 3.5（A） TVS, ESD二极管,SOT-23数据列表PESD(x)L2BT Series产品相片SOT-23-3产品培训模块ESD Protection DiodesESD Standards and Products产品目录绘图SOT-23 Pin Out标准包装3,000类别过电压，电流，温度装置家庭TVS - 二极管系列-电压 - 反向隔离（标准值）3.3V电压 - 击穿5.8V功率（瓦特）350W电极标记2 通道阵列 - 双向安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-23-3供应商设备封装SOT-23-3包装带卷 (TR)产品目录页面146...
