价 格: | 面议 | |
型号/规格: | MMBT3904LT1 | |
品牌/商标: | HT | |
封装形式: | SOT-23 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 | |
功率特性: | 大功率 | |
频率特性: | | |
整流电流: | | |
反向击穿电流: | |
一、低压贴片二极管参数:
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(): 200mA
电压 - 集电极发射极击穿(): 40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(): 300mV @ 5mA, 50mA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 100 @ 10mA, 1V
功率 - : 225mW
频率 - 转换: 300MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3 (TO-236)
包装: 剪切带 (CT)
二、产品优势:
整流电流是指二极管长期连续工作时允许通过的正向电流值,其值与PN结面积及外部散热条件等有关。因为电流通过管子时会使管芯发热,温度上升,温度超过容许限度(硅管为141左右,锗管为90左右)时,就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下,二极管使用中不要超过二极管整流电流值。例如,常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。
一、开关式贴片二极管参数: 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(): 200mA 电压 - 集电极发射极击穿(): 40V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(): 200mV @ 5mA, 50mA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 100 @ 10mA, 1V 功率 - : 350mW 频率 - 转换: 270MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商设备封装: SOT-23-3 包装: 剪切带 (CT) 二、开关式贴片二极管反向特性: 在电子电路中,二极管的正极接在低电位端,负极接在高电位端,此时二极管中几乎没有电流流过,此时二极管处于截止状态,这种连接方式,称为反向偏置。二极管处于反向偏置时,仍然会有微弱的反向电流流过二极管,称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值,反向电流会急剧增大,二极管将失去单方向导电特性,这种状态称为二极管的击穿。
一、电压式贴片二极管参数: 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(): 200mA 电压 - 集电极发射极击穿(): 40V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(): 200mV @ 5mA, 50mA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 100 @ 10mA, 1V 功率 - : 350mW 频率 - 转换: 270MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商设备封装: SOT-23-3 包装: 带卷 (TR) 二、电压式贴片二极管正向特性: 在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门坎电压”,又称“死区电压”,锗管约为0.1V,硅管约为0.5V)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。