价 格: | 面议 | |
型号/规格: | MMBT3904LT1 | |
品牌/商标: | HT | |
封装形式: | SOT-23 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 | |
功率特性: | 中功率 | |
频率特性: | | |
整流电流: | | |
反向击穿电流: | |
一、电压式贴片二极管参数:
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(): 200mA
电压 - 集电极发射极击穿(): 40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(): 200mV @ 5mA, 50mA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 100 @ 10mA, 1V
功率 - : 350mW
频率 - 转换: 270MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23-3
包装: 带卷 (TR)
二、电压式贴片二极管正向特性:
在电子电路中,将二极管的正极接在高电位端,负极接在低电位端,二极管就会导通,这种连接方式,称为正向偏置。必须说明,当加在二极管两端的正向电压很小时,二极管仍然不能导通,流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门坎电压”,又称“死区电压”,锗管约为0.1V,硅管约为0.5V)以后,二极管才能直正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变(锗管约为0.3V,硅管约为0.7V),称为二极管的“正向压降”。
一、电流式贴片二极管参数: 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(): 200mA 电压 - 集电极发射极击穿(): 40V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(): 300mV @ 5mA, 50mA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 100 @ 10mA, 1V 功率 - : 150mW 频率 - 转换: 300MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOT-523 供应商设备封装: SOT-523 包装: 剪切带 (CT) 二、肖特基二极管: 基本原理是:在金属(例如铅)和半导体(N型硅片)的接触面上,用已形成的肖特基来阻挡反向电压。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。其耐压程度只有40V左右。其特长是:开关速度非常快:反向恢复时间trr特别地短。因此,能制作开关二极和低压大电流整流二极管。 三、公司介绍: 我司创立于1991年,在近20年的市场博弈中,凭借着“天旺”人持之以恒的努力,在中国电子信息产业讯速发展的的契机下,使“天旺”发展成为产、供、销一条龙,科、工、贸一体化的新型高新技术集团公司。公司集元器件研发销售、代理销售、战略联盟销售、进出口报关物流等多项业务于一体。集更多的优势接受市场的挑战,灵活服务于客户。
一、散装贴片二极管参数: 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(): 200mA 电压 - 集电极发射极击穿(): 40V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(): 300mV @ 5mA, 50mA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 100 @ 10mA, 1V 功率 - : 150mW 频率 - 转换: 300MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOT-523 供应商设备封装: SOT-523 包装: 带卷 (TR) 二、合金扩散型二极管: 它是合金型的一种。合金材料是容易被扩散的材料。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质,就能与合金一起过扩散,以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。 外延型二极管 用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管。制造时需要非常高超的技术。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布,故适宜于制造高灵敏度的变容二极管。