供应高精密贴片三极管厂家直销，高精密贴片三极管特价
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | S8050(J3Y) | |
| 品牌/商标： | HT | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特性： | 大功率 | |
| 频率特性： | | |
| 极性： | |
一、高精密贴片三极管参数：
晶体管类型： NPN
电流 - 集电极 (Ic)（）： 1.5A
电压 - 集电极发射极击穿（）： 25V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）： 500mV @ 80mA, 800mA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)： 120 @ 100mA, 1V
功率 - ： 1W
频率 - 转换： 100MHz
安装类型： 通孔
封装/外壳： TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成形引线
供应商设备封装： TO-92-3
包装： 带盒 (TB)
二、高精密贴片三极管：
发射区向基区发射电子（形成发射极电流）
发射结施加正向电压且掺杂浓度高，所以发射区多数自由电子越过发射结扩散到基区，发射区的自由电子由直流电源补充，从而形成了发射极电流。（同时，基区的多数载流子也会扩散到发射区，成为发射极电流的一部分。由于基区很薄，且掺杂浓度较低，因此由基区多子空穴形成的电流可以忽略不计。）
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供应稳压贴片三极管，优质厂家直销稳压贴片三极管
信息内容：一、稳压贴片三极管参数： 晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（）： 1.5A 电压 - 集电极发射极击穿（）： 25V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）： 500mV @ 80mA, 800mA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)： 85 @ 100mA, 1V 功率 - ： 1W 频率 - 转换： 100MHz 安装类型： 通孔 封装/外壳： TO-226-3、TO-92-3 标准主体 供应商设备封装： TO-92-3 包装： 散装 二、工作原理： 由于基区很薄，加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电极电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic，这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：β1=Ic/Ib 式中：β1--称为直流放大倍数，集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：β= △Ic/△Ib。式中β--称为交流电流放大倍数，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。三极管是...
供应PHILOP贴片三极管625mW，代理PHILOP贴片三极管
信息内容：一、PHILOP贴片三极管参数： 晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（）： 1.5A 电压 - 集电极发射极击穿（）： 25V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）： 500mV @ 80mA, 800mA 电流 - 集电极截止（）： 100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)： 120 @ 100mA, 1V 功率 - ： 625mW 频率 - 转换： 100MHz 安装类型： 表面贴装 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 二、PHILOP贴片三极管工作原理： 当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）及基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流了。
