供应贴片三极管特价厂家直销，NPN贴片三极管价格优惠
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | S9018 | |
| 品牌/商标： | HT | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特性： | 大功率 | |
| 频率特性： | | |
| 极性： | |
一、NPN贴片三极管参数：
晶体管类型： NPN
电压 - 集电极发射极击穿（）： 15V
频率 - 转换： 1.1GHz
功率 - ： 400mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)： 97 @ 1mA, 5V
电流 - 集电极 (Ic)（）： 50mA
安装类型： 通孔
封装/外壳 ：TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商设备封装： TO-92-3
包装： 散装
二、NPN贴片三极管：
集电区收集自由电子，形成集电极电流
由于集电结加反向电压且面积很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
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供应高压贴片三极管优质厂家直销，高压贴片三极管特价
信息内容：一、高压贴片三极管参数： 晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（）： 1.5A 电压 - 集电极发射极击穿（）： 25V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）： 500mV @ 80mA, 800mA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)： 160 @ 100mA, 1V 功率 - ： 1W 频率 - 转换： 100MHz 安装类型： 通孔 封装/外壳： TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成形引线 供应商设备封装： TO-92-3 包装： 带盒 (TB) 二、自由电子在基区和空穴复合，形成集区电流，并继续向集电区扩散 自由电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合（基区中的空穴由直流电源补充），扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
供应高精密贴片三极管厂家直销，高精密贴片三极管特价
信息内容：一、高精密贴片三极管参数： 晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（）： 1.5A 电压 - 集电极发射极击穿（）： 25V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）： 500mV @ 80mA, 800mA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)： 120 @ 100mA, 1V 功率 - ： 1W 频率 - 转换： 100MHz 安装类型： 通孔 封装/外壳： TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成形引线 供应商设备封装： TO-92-3 包装： 带盒 (TB) 二、高精密贴片三极管： 发射区向基区发射电子（形成发射极电流） 发射结施加正向电压且掺杂浓度高，所以发射区多数自由电子越过发射结扩散到基区，发射区的自由电子由直流电源补充，从而形成了发射极电流。（同时，基区的多数载流子也会扩散到发射区，成为发射极电流的一部分。由于基区很薄，且掺杂浓度较低，因此由基区多子空穴形成的电流可以忽略不计。）
