价 格: | 面议 | |
型号/规格: | S9018LT1 J8 | |
品牌/商标: | HT | |
封装形式: | SOT-23 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 | |
功率特性: | | |
频率特性: | | |
极性: | |
一、SMT贴片三极管参数:
晶体管类型: NPN
二、产品主要参数:
特征频率fT
当f= fT时,三极管完全失去电流放大功能。如果工作频率大于fT,电路将不正常工作。
工作电压/电流
用这个参数可以指定该管的电压电流使用范围。
hFE
电流放大倍数。
VCEO
集电极发射极反向击穿电压,表示临界饱和时的饱和电压。
PCM
允许耗散功率。
一、NPN贴片三极管参数: 晶体管类型: NPN 电压 - 集电极发射极击穿(): 15V 频率 - 转换: 1.1GHz 功率 - : 400mW 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 97 @ 1mA, 5V 电流 - 集电极 (Ic)(): 50mA 安装类型: 通孔 封装/外壳 :TO-226-3、TO-92-3 标准主体 供应商设备封装: TO-92-3 包装: 散装 二、NPN贴片三极管: 集电区收集自由电子,形成集电极电流 由于集电结加反向电压且面积很大,这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散,同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子(空穴)也会产生漂移运动,流向基区形成反向饱和电流,用Icbo来表示,其数值很小,但对温度却异常敏感。
一、高压贴片三极管参数: 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(): 1.5A 电压 - 集电极发射极击穿(): 25V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(): 500mV @ 80mA, 800mA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 160 @ 100mA, 1V 功率 - : 1W 频率 - 转换: 100MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA) 成形引线 供应商设备封装: TO-92-3 包装: 带盒 (TB) 二、自由电子在基区和空穴复合,形成集区电流,并继续向集电区扩散 自由电子进入基区后,先在靠近发射结的附近密集,渐渐形成电子浓度差,在浓度差的作用下,促使电子流在基区中向集电结扩散,被集电结电场拉入集电区形成集电极电流。也有很小一部分电子(因为基区很薄)与基区的空穴复合(基区中的空穴由直流电源补充),扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。