2SA1036 Transistors PNP 3放大三极管
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | 2SA1036 |
| 应用范围 | 放大 | 材料 | 硅(Si) |
| 击穿电压VCBO | 32（V） | 截止频率fT | 200（MHz） |
| 结构 | 面接触型 | 封装形式 | 贴片型 |
| 封装材料 | 塑料封装 |
NATransistors PNP 32V 0.5A
| 2SA1036K |
| SC-59-3, SMT3, SOT-346, TO-236 |
| SOT-346 Package Top |
| 3,000 |
| 分离式半导体产品 |
| 晶体管(BJT) - 单路 |
| - |
| PNP |
| 500mA |
| 32V |
| 600mV @ 30mA, 300mA |
| - |
| 120 @ 100mA, 3V |
| 200mW |
| 200MHz |
| 表面贴装 |
| SC-59-3，SMT3，SOT-346，TO-236 |
- 所属城市：广东 深圳
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N沟MOSF管IRF3205S
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF3205S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 开启电压 55（V） 夹断电压 4（V）
N沟MOSF管IRF3710S
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 IRF3710S 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 100（V） 夹断电压 4（V） TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET数据列表IRF3710(S,L)PbF产品相片D2PAK, TO-263产品目录绘图IR Hexfet D2PAK标准包装800类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列HEXFET®FET 型MOSFET N 通道，金属氧化物FET 特点标准型开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C23 毫欧 @ 28A, 10V漏极至源极电压(Vdss)100V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C57AId 时的 Vgs(th)（）4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs130nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)3130pF @ 25V功率 - 200W
