场效应管 IRL540NPBF IRL540N
| 价 格： | 1.85 |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRL540NPBF |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | S/开关 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 100（V） | 夹断电压 | 100（V） |
| 跨导 | 0.01（μS） | 极间电容 | 0.01（pF） |
| 低频噪声系数 | 0.01（dB） | 漏极电流 | 30A（mA） |
| 耗散功率 | 94W（mW） |
- 所属城市：广东 广州
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IRFB38N20D FB38N20D 场效应管 44A 200V RDS0.054欧
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFB38N20DPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 200（V） 夹断电压 200（V） 跨导 0.01（μS） 极间电容 0.01（pF） 低频噪声系数 0.01（dB） 漏极电流 44A/32A（mA） 耗散功率 320w（mW）
11+ HGTG11N120CND 11N120CND HGTG11N120 场效应管/IGBT管
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 hgtg11n120cnd 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 D/变频换流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 800（V） 夹断电压 1200（V） 跨导 0.1（μS） 极间电容 0.1（pF） 低频噪声系数 0.1（dB） 漏极电流 43A（mA） 耗散功率 原厂标准（mW）
