11+ HGTG11N120CND 11N120CND HGTG11N120 场效应管/IGBT管
| 价 格： | 10.50 | |
| 品牌： | FAIRCHILD/仙童 | |
| 型号： | hgtg11n120cnd |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD/仙童 | 型号/规格 | hgtg11n120cnd |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | D/变频换流 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 800（V） | 夹断电压 | 1200（V） |
| 跨导 | 0.1（μS） | 极间电容 | 0.1（pF） |
| 低频噪声系数 | 0.1（dB） | 漏极电流 | 43A（mA） |
| 耗散功率 | 原厂标准（mW） |
- 所属城市：广东 广州
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仙童FAIRCHILD FGL60N100BNTD FGL60N100 G60N100BNTD
信息内容：品牌/商标 美国仙童，FSC 型号/规格 FGL60N100BNTD 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 800（V） 夹断电压 1000（V） 跨导 0.1（μS） 极间电容 0.1（pF） 低频噪声系数 0.1（dB） 漏极电流 60A（mA） 耗散功率 180W（mW）
现货供应英飞凌infineon，IHW20N120R3 H20R1203
信息内容：品牌/商标 英飞凌 型号/规格 IHW20N120R3 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 S/开关 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 1200（V） 夹断电压 1200（V） 跨导 0.1（μS） 极间电容 0.1（pF） 低频噪声系数 0.1（dB） 漏极电流 20（mA） 耗散功率 0.1（mW）
