价 格: | 面议 | |
型号/规格: | MMBT3904LT1 | |
品牌/商标: | HT | |
封装形式: | SOT-23 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 | |
功率特性: | | |
频率特性: | | |
整流电流: | | |
反向击穿电流: | |
一、开关用贴片二极管参数:
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(): 200mA
电压 - 集电极发射极击穿(): 40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(): 300mV @ 5mA, 50mA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 100 @ 10mA, 1V
功率 - : 250mW
频率 - 转换: 300MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: 3-UFDFN
供应商设备封装: 3-DFN1006 (1.0x0.6)
包装: 带卷 (TR)
二、开关用贴片二极管工作原理:
晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成空间电荷层,并建有自建电场。当不存在外加电压时,由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时,外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时,外界电场和自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。p-n结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分。
一、草帽型贴片二极管参数: 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(): 200mA 电压 - 集电极发射极击穿(): 40V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(): 300mV @ 5mA, 50mA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 100 @ 10mA, 1V 功率 - : 150mW 频率 - 转换: 300MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOT-523 供应商设备封装: SOT-523 二、草帽型贴片二极管应用: 1、检波 在收音机中起检波作用。 2、变容 使用于电视机的高频头中。 3、显示 用于VCD、DVD、计算器等显示器上。 4、稳压 稳压二极管实质上是一个面结型硅二极管,稳压二极管工作在反向击穿状态。在二极管的制造工艺上,使它有低压击穿特性。稳压二极管的反向击穿电压恒定,在稳压电路中串入限流电阻,使稳压管击穿后电流不超过允许值,因此击穿状态可以长期持续并不会损坏。 5、触发 触发二极管又称双向触发二极管(DIAC)属三层结构,具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅 ,在电路中作过压保护等用途。 三、公司介绍: 我司拥有自主研发品牌“HT”,同时也是迪浦国际集团“PHILOP”系列产品,香港先科集团“ST”系...
一、高亮贴片二极管参数: 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(): 200mA 电压 - 集电极发射极击穿(): 40V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(): 300mV @ 5mA, 50mA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 100 @ 10mA, 1V 功率 - : 150mW 频率 - 转换: 300MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: SOT-523 供应商设备封装; SOT-523 包装 剪切带; (CT) 二、高亮贴片二极管应用: 1、整流 利用二极管单向导电性,可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。 2、开关 二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开关;在反向电压作用下,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性,可以组成各种逻辑电路。 3、限幅 二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7V,锗管为0.3V)。利用这一特性,在电路中作为限幅元件,可以把信号幅度限制在一定范围内。 4、续流 在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用。 三、公司介绍: 我司主要供应:片状二三极管、片状开关、稳压二极管、片状整流、肖特基二极管、片状快恢...