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供应高亮贴片二极管厂家,高亮贴片二极管优质特销

价 格: 面议
型号/规格:MMBT3904
品牌/商标:JCST(长电)
封装形式:SOT-23
环保类别:无铅环保型
安装方式:贴片式
包装方式:卷带编带包装
功率特性:中功率
频率特性:
整流电流:
反向击穿电流:

一、高亮贴片二极管参数:

  晶体管类型: NPN
  电流 - 集电极 (Ic)(): 200mA
  电压 - 集电极发射极击穿(): 40V
  Ib、Ic条件下的Vce饱和度(): 300mV @ 5mA, 50mA
  在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 100 @ 10mA, 1V
  功率 - : 150mW
  频率 - 转换: 300MHz
  安装类型: 表面贴装
  封装/外壳: SOT-523
  供应商设备封装; SOT-523
  包装 剪切带; (CT)

 

二、高亮贴片二极管应用:

  1、整流
  利用二极管单向导电性,可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。
  2、开关
  二极管在正向电压作用下电阻很小,处于导通状态,相当于一只接通的开关;在反向电压作用下,电阻很大,处于截止状态,如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性,可以组成各种逻辑电路。
  3、限幅
  二极管正向导通后,它的正向压降基本保持不变(硅管为0.7V,锗管为0.3V)。利用这一特性,在电路中作为限幅元件,可以把信号幅度限制在一定范围内。
  4、续流
  在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用。

 

三、公司介绍:

        我司主要供应:片状二三极管、片状开关、稳压二极管、片状整流、肖特基二极管、片状快恢复二极管、片状场效应、MOS管、片状电容、钽电容系列、低压差稳压IC、电源管理ICLDO。

  我司成立于1991年,是一家以生产经销电子元器件为主的新型高科技企业。本公司生产及销售自有品牌片状二三极管和低压差稳压IC、LDO及电源管理IC,并代理经销世界各国片状二三极管。公司现有职员100多人,办公面积500多平米。公司集元器件研发销售、代理销售、战略联盟销售、进出口报关物流等多项业务于一体,集更多的优势接受市场的挑战,灵活服务于客户,天旺以电子元器件为着陆点,潜心二、三极管。

苏州固锝电子股份有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 广州
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 曾向奔
  • 电话:020-83182723
  • 传真:020-83389441
  • 手机:13928786606
  • QQ :QQ:389939789QQ:2355278034QQ:2355278037
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一、平面型贴片二极管参数:   晶体管类型: NPN  电流 - 集电极 (Ic)(): 200mA  电压 - 集电极发射极击穿(): 40V  Ib、Ic条件下的Vce饱和度(): 300mV @ 5mA, 50mA  电流 - 集电极截止(): -  在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) :100 @ 10mA, 1V  功率 - : 150mW  频率 - 转换: 300MHz  安装类型: 表面贴装  封装/外壳: SOT-523  供应商设备封装: SOT-523  包装: 带卷 (TR) 二、平面型贴片二极管雪崩击穿:  另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时,外加电场使电子漂移速度加快,从而与共价键中的价电子相碰撞,把价电子撞出共价键,产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子,载流子雪崩式地增加,致使电流急剧增加,这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿,若对其电流不加限制,都可能造成PN结性损坏。 三、公司介绍: 我司拥有自主研发品牌“HT”。是迪浦国际集团“PHILOP”系列产品,香港先科集团“ST”系列产品,江苏长电集团“长电”系列产品总代理。产品范围更广,服务更全面。并与品佳电子、艾睿集团 、安富利科技、世平集团、友尚国际等电子元器件国际知名企业达...

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信息内容:

一、矩形贴片二极管参数:   晶体管类型: NPN  电流 - 集电极 (Ic)(): 200mA  电压 - 集电极发射极击穿(): 40V  Ib、Ic条件下的Vce饱和度(): 300mV @ 5mA, 50mA  电流 - 集电极截止(): -  在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) :100 @ 10mA, 1V  功率 - : 350mW  频率 - 转换: 300MHz  安装类型: 表面贴装  封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  供应商设备封装: SOT-23 二、矩形贴片二极管齐纳击穿:   反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下,因势垒区宽度很小,反向电压较大时,破坏了势垒区内共价键结构,使价电子脱离共价键束缚,产生电子-空穴对,致使电流急剧增大,这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低,势垒区宽度较宽,不容易产生齐纳击穿。 三、公司说明: 我司以电子元器件为着陆点,潜心二、三极管领域近20年,是电子元器件产业二、三极管领域执着的守候者,立志做中国本土的电子元器件通路商。近20年的发展历程中先后被多家服务对象评为“战略伙伴”,“供应商”,“协力厂商”,并先后成为“深圳市电子商会副会长”,“中国质量管理者论坛副理事长”,“中...

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