P沟MOSF管SI4925
| 价 格： | 4.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | SI4925DY |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | P-FET硅P沟道 | 开启电压 | 30（V） |
| 夹断电压 | 10（V） | 跨导 | 0（μS） |
| 极间电容 | 0（pF） | 低频噪声系数 | 0（dB） |
| 漏极电流 | 0（mA） | 耗散功率 | 0（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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肖特基二极管SK22.DO-214AA
信息内容：产品类型 肖特基管 品牌/商标 国产 型号/规格 SK22 结构 点接触型 材料 其他 封装材料 塑料封装 功率特性 中功率 出光面特征 微型管 发光强度角分布 标准型 反向电压VR 20（V） 正向直流电流IF 2（A） NADiodes- Schottky 2A 40V数据列表SK22 thru SK210产品相片SK22-TP产品培训模块Diode Handling and Mounting产品目录绘图S, SK Series DO-214AA标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭单二极管/整流器系列-电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（）550mV @ 2A电压 - (Vr)（）20V电流 - 平均整流 (Io)2A电流 - 在 Vr 时反向漏电500µA @ 20V二极管型肖特基速度快速恢复 =< 500 ns，> 200mA (Io)反向恢复时间(trr)-电容@ Vr, F-安装类型表面贴装封...
P沟MOSF管SI9953DY
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 SI9424BDY 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 20（V） 夹断电压 4.5（V） SO8, P沟MOSFET数据列表SI9424BDY产品相片8-SOIC产品目录绘图DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列TrenchFET®FET 型MOSFET P 通道，金属氧化物FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C25 毫欧 @ 7.1A, 4.5V漏极至源极电压(Vdss)20V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C5.6AId 时的 Vgs(th)（）850mV @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs40nC @ 4.5V在 Vds 时的输入电容(Ciss)-功率 - 1.25W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽
