P沟MOSF管SI9953DY
| 价 格： | 3.50 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | SI9424BDY |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | WAFER/裸芯片 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
| 开启电压 | 20（V） | 夹断电压 | 4.5（V） |
SO8, P沟MOSFET
| SI9424BDY |
| 8-SOIC |
| DY-T1-(G)E3 Series 8-SOIC |
| 2,500 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| TrenchFET® |
| MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 25 毫欧 @ 7.1A, 4.5V |
| 20V |
| 5.6A |
| 850mV @ 250µA |
| 40nC @ 4.5V |
| - |
| 1.25W |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽 |
- 所属城市：广东 深圳
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P沟MOSF管MTD6N20.TO-263
信息内容：品牌/商标 MOT美国摩托罗拉 型号/规格 MTD6N20 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 开启电压 200（V） 夹断电压 10（V）
BC818. SOT-23放大三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 BC818 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 25（V） 截止频率fT 100（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA TRANSISTOR PNP 25V 800MA SOT-23数据列表BC817/BC818产品相片SOT-23-3产品变化通告Mold Compound Change 12/Dec/2007标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)（）800mA电压 - 集电极发射极击穿（）25VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）700mV @ 50mA, 500mA电流 - 集电极截止（）100nA在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)250 @ 100mA, 1V功率 - 310mW频率 - 转换100MHz安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-23-3供应商设备封装SOT-23包装带卷 (TR)
