三极管 BAS316
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | NXP | 型号/规格 | BAS316 |
| 应用范围 | 放大 | 功率特性 | 中功率 |
| 频率特性 | 低频 | 极性 | PNP型 |
| 结构 | 点接触型 | 材料 | 硅(Si) |
| 封装形式 | 直插型 | 封装材料 | 金属封装 |
| 截止频率fT | 43（MHz） | 集电极允许电流ICM | 33（A） |
| 集电极耗散功率PCM | 22（W） | 营销方式 | 现货 |
| 产品性质 | 热销 |
- 所属城市：广东 深圳
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现货原装,仙童品牌HGTP5N120BND
信息内容：品牌/商标 FairChild仙童 型号/规格 HGTP5N120BND 应用范围 带阻尼 功率特性 小功率 频率特性 低频 极性 NPN型 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 集电极允许电流ICM 21（A） 集电极耗散功率PCM 167（W） 营销方式 现货 产品性质 热销 制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: IGBT 晶体管 RoHS: 详细信息 配置: Single 集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V 集电极—射极饱和电压: 2.45 V 栅极/发射极电压: +/- 20 V Continuous Collector Current at 25 C: 21 A 栅极—射极...
全新仙童场效应管8N60C
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 8N60C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 NF/音频(低频) 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 原厂规格（V） 夹断电压 原厂规格（V） 低频跨导 原厂规格（μS） 极间电容 原厂规格（pF） 低频噪声系数 原厂规格（dB） 漏极电流 原厂规格（mA） 耗散功率 原厂规格（mW）
