现货原装,仙童品牌HGTP5N120BND
| 价 格： | 0.20 |
| 品牌/商标 | FairChild仙童 | 型号/规格 | HGTP5N120BND |
| 应用范围 | 带阻尼 | 功率特性 | 小功率 |
| 频率特性 | 低频 | 极性 | NPN型 |
| 结构 | 面接触型 | 材料 | 硅(Si) |
| 封装形式 | 直插型 | 封装材料 | 塑料封装 |
| 集电极允许电流ICM | 21（A） | 集电极耗散功率PCM | 167（W） |
| 营销方式 | 现货 | 产品性质 | 热销 |
制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 详细信息
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V
集电极—射极饱和电压: 2.45 V
栅极/发射极电压: +/- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C: 21 A
栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA
功率耗散: 167 W
工作温度: + 150 C
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
最小工作温度: - 55 C
安装风格: Through Hole
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈义雄
- 电话：0755-82894329
- 传真：0755-82894329
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全新仙童场效应管8N60C
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 8N60C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 NF/音频(低频) 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 原厂规格（V） 夹断电压 原厂规格（V） 低频跨导 原厂规格（μS） 极间电容 原厂规格（pF） 低频噪声系数 原厂规格（dB） 漏极电流 原厂规格（mA） 耗散功率 原厂规格（mW）
原装仙童晶体管 FQPF13N50C
信息内容：品牌/商标 FairChild仙童 型号/规格 FQPF13N50C 应用范围 放大 功率特性 小功率 频率特性 低频 极性 NPN型 结构 点接触型 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 塑料封装 截止频率fT 55（MHz） 集电极允许电流ICM 43（A） 集电极耗散功率PCM 33（W） 营销方式 现货 产品性质 热销 dzsc/18/5956/18595622.jpg制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET 功率 RoHS: 详细信息 配置: Single 晶体管极性: N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）: 0.54 Ohm @ 10 V 正向跨...
