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STP20NM60FD - 场效应管 MOSFET N TO-220
信息内容：种类 场效应管 品牌/商标 ST 型号/规格 STP20NM60FD 描述晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:20A电压, Vds :600V在电阻RDS（上）:290mohm电压 @ Rds测???:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V工作温度范围:-65°C 到 +150°C封装类型:TO-220针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)SMD标号:STP20NM60FD功率, Pd:192W功耗:192W封装类型:TO-220封装类型, 替代:SOT-78B引脚节距:2.54mm总功率, Ptot:192W晶体管数:1晶体管类型:温度 @ 电流测量:25°C满功率温度:25°C漏极电流, Id 值:20A电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:600V电压, Vgs :30V电流, Idm 脉冲:80A表面安装器件:通孔安装
场效应管 IRFR3708TR
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFR3708TR 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 CC/恒流 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
