STP20NM60FD - 场效应管 MOSFET N TO-220
| 价 格： | 6.00 |
| 种类 | 场效应管 | 品牌/商标 | ST |
| 型号/规格 | STP20NM60FD |
描述
- 晶体管极性:ñ频道
- 电流, Id 连续:20A
- 电压, Vds :600V
- 在电阻RDS（上）:290mohm
- 电压 @ Rds测???:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
- 工作温度范围:-65°C 到 +150°C
- 封装类型:TO-220
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)
- SMD标号:STP20NM60FD
- 功率, Pd:192W
- 功耗:192W
- 封装类型:TO-220
- 封装类型, 替代:SOT-78B
- 引脚节距:2.54mm
- 总功率, Ptot:192W
- 晶体管数:1
- 晶体管类型:
- 温度 @ 电流测量:25°C
- 满功率温度:25°C
- 漏极电流, Id 值:20A
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:600V
- 电压, Vgs :30V
- 电流, Idm 脉冲:80A
- 表面安装器件:通孔安装
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 赵远明
- 电话：0755-82723789
- 传真：0755-82723789
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场效应管 IRFR3708TR
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFR3708TR 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 CC/恒流 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1（V） 夹断电压 1（V） 跨导 1（μS） 极间电容 1（pF） 低频噪声系数 1（dB） 漏极电流 1（mA） 耗散功率 1（mW）
IRF2807ZSPBF - 场效应管 MOSFET N D2-PAK 75V 89A
信息内容：种类 场效应管 品牌/商标 IR 型号/规格 IRF2807ZSPBF 描述晶体管极性:ñ频道电流, Id 连续:89A电压, Vds :75V在电阻RDS（上??:9.4mohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V封装类型:D2-PAK针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功率, Pd:170W功耗:170W封装类型:D2-PAK封装类型, 替代:D2-PAK晶体管类型:漏极电流, Id 值:75A热阻, 结至外壳 A:0.9°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds:75V电压, Vds 典型值:75V电压, Vgs :4V电流, Idm 脉冲:350A表面安装器件:表面安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:9.4mohm阈值电???, Vgs th :4V
