品牌/商标 | YAGEO国巨电子 | 型号/规格 | RC0603JR-07100RL RC0201-2512 |
种类 | 排阻 | 性能 | 通用 |
材料 | 薄膜 | 制作工艺 | 合成式 |
外形 | 平面片状 | 标称阻值 | 0R001-22M |
温度系数 | TCR | 额定功率 | 0.25(W) |
调节方式 | 固定 | 功率特性 | 小功率 |
频率特性 | 低频 | 营销方式 | 代理 |
产品性质 | 热销 |
品牌/商标 洋杰 型号/规格 MYG7K471 种类 压敏 性能 高压 材料 有机实心 制作工艺 合成式 外形 平面片状 标称阻值 15V-2000V 温度系数 TCR 额定功率 0.25(W) 调节方式 固定 功率特性 中功率 频率特性 低频 营销方式 厂家直销 产品性质 热销 中低压瓷片电容容量范围:0.5PF~104PF电压范围:500V以内高压瓷片电容容量范围:1PF~103PF电压范围:500V~20KV 工作温度范围:-30℃~+85℃散逸因数:AT 1KHZ 1±0.2VRMS 25℃我厂是:LG,SONY,三星,夏普,松下的配套供应商!我厂主要产品为:压...
品牌/商标 士兰微 型号/规格 1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 低频跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW) SVD2N60M/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及...