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MOS管2N-8N60 10N60 12N60

价 格: 1.80

品牌/商标 士兰微 型号/规格 1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道
开启电压 1(V) 夹断电压 1(V)
低频跨导 1(μS) 极间电容 1(pF)
低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA)
耗散功率 1(mW)

 

SVD2N60M/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,DC-DC电源转换器,高压H桥PMW马达驱动。

∗ 2A,600V,RDS(on)=4.6Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了dv/dt 能力

其它规格:1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60

苏州洋杰电子有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:江苏 苏州
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  • 联系人: 刘杰
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