广东省深圳市三资电子供应电源驱动IC CR6224 CR6235 SOT-8。供应CR6235|CR6235电源IC|CR6235设计方案|CR6235设计指导书全新原装现货供应,西安民展微品牌POWER-Rail,优势价格, 我司是西安民展微POWER-Rail的一级代理商.常年大量现货直销商.欢迎来询!
公司产品质量保证: 公司只做全新原装 !!
dzsc/18/5840/18584000.jpg
CR6235S 5W系列方案解析
『1』CR6235S芯片介绍:
1. CR6235S采用原边PWM控制模式,无需光耦和TL431,电路更简单,外围元件少.
2. 高压264V输入时,待机功耗在0.25W以下.
3. 平均效率可满足能源之星五等级要求.
4. 内置软启动电路,可减小开机过冲,降低MOS应力.
5. 芯片外部可进行线损补偿调整,应用范围更广.
6. 频率抖动功能,使其具有更好的EMI特性.
7. 具有OCP,OVP,SCP等多种保护功能,故障解除后可自动恢复输出.
『2』电性能规格:
1. 输入特性
交流输入标称电压:AC100V~240V
交流输入电压范围:AC90V~264V
交流输入标称频率:50Hz/60Hz
交流输入频率范围:47Hz~63Hz
交流输入电流:0.15A.max
2. 输出特性
系列机输出电压及电流:
① 5V*1A
② 9V*0.5A
③ 12V*0.4A
电压容差:±5%
3. 性能说明
输出功率:5W
待机功耗:<0.25W@90Vac/60Hz~264Vac/50Hz空载
平均效率:
① 5V*1A--->69%@典型线压-24AWG&1.5M
② 9V*0.5A---> 72%@典型线压-24AWG&1.5M
③ 12V*0.4A--->73%@典型线压-24AWG&1.5M
线性调整率:±1%
负载调整率:±5%
输出纹波:
① 5V*1A---<60mVpp
② 9V*0.5A---<90mVpp
③ 12V*0.4A---<120mVpp
关机保持时间:10Ms min@100Vac/60Hz满载
开机启动时间:2Sec max@100Vac/60Hz满载
『3』应用领域:
1. 恒流充电器
例如手机充电器,锂电池充电器,小型铅蓄电池充电器等Charger。
2. 恒压适配器
例如数码相框适配器,路由器适配器等数码电子产品及网络设备供电电源。
『4』安全特性:
1. 静电:
适配器可承受接触放电8KV、空间放电15KV不被损坏。
2. 雷击:
适配器及开放式电源可承受共模4KV、差模2KV不被损坏。
注:了解更多相关产品资料如原理图.BOM.设计指导书.方案优化要点,请直接联系我们索取!
地址:深圳市福田区中航路国利大厦13楼(1310)
优势产品有SSF2N60、SSF5N60、SSF8N60、FTA10N60、SPP20N60C3、CR6224T、CR6224S、CR6228T、CR6229T、CR6235S、CR6236T、CR6238T、CR6850S、CR6850T、PR9853T、PR9853S、PR8275、MBR10100、MBR10200、MBR10150、MBR20100、MBR20150、MBR20200、MBR30100、MBR30150、MBR30200.等。
深圳市三资半导体有限公司供应SSF2N60|SSF2N60|2N60样品|SSF2N60|SSF2N60参数2N60|2N60样品|SSF2N60|SSF2N60设计指导|SSF2N60样品|SSF2N60设计指导|SSF2N60设计方案|SSF2N60参数,深圳市三资半导体实业有限公司经营各种:场效应管、肖特基、快恢复、电源管理IC、稳压IC、DIP/SMD系列,品质保证,信誉欢迎惠顾! 地址:深圳市福田区中航路国利大厦13楼(1310)销售, SSF2N60产品参数:型号:SSF2N60 封装:TO-220 主要参数: 2A/600V,RDS(on)=4.7Ω(VGS=10V,ID=1.0A) 应用领域:节能灯、充电器、开关电源、LCD显示器、电子镇流器产品功能:功率MOSEFT—2N60 2A,600V N沟道 产品图片: dzsc/18/5840/18584004.jpg 2N60功率MOS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术。这种先进工艺使器件具有优良的特性,如极快 的开关速度,极低栅电荷,最小化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性。这种器件非常适合于高效开关电源, DC/DC转换器,PWM马达控制和桥式驱动电路等。 1、特征 · 2A,600V, RDS(on)=3.8Ω@Vgs=10V; · 极低栅电荷,典型9nC; ·极低反向转换...
深圳市三资半导体有限公司供应2N60|2N60图片|SSF2N60|SSF2N60图片|2N60设计方案|SSF2N60设计指导2N60|SSF2N60|场效应管2N60|2N60设计方案|2N60设计指导|2N60参数SSF2N60|SSF2N60样品|SSF2N60设计指导|SSF2N60设计方案|SSF2N60参数,地址:深圳市福田区中航路国利大厦13楼(1310)销售 SSF2N60产品参数: 型号:SSF2N60 封装:TO-220 主要参数: 2A/600V,RDS(on)=4.7Ω(VGS=10V,ID=1.0A) 应用领域: 节能灯、充电器、开关电源、LCD显示器、电子镇流器 产品功能: 功率MOSEFT—2N60 2A,600V N沟道 2N60功率MOS场效应管采用先进的高压DMOS工艺技术。这种先进工艺使器件具有优良的特性,如极快 的开关速度,极低栅电荷,最小化的导通电阻以及极强的雪崩击穿特性。这种器件非常适合于高效开关电源, DC/DC转换器,PWM马达控制和桥式驱动电路等。 1、特征 · 2A,600V, RDS(on)=3.8Ω@Vgs=10V; · 极低栅电荷,典型9nC; ·极低反向转换电容;典型5pF · 快速开关能力; · 增强的dV/di能力; · 100%雪崩击穿测试; · 封装型式:TO-220,TO-220F,TO-251,TO-252 · 结温 150 ℃ 产品图片: dzsc/18/5840/18584005.j...