EPCS4SI8N单片机
| 价 格： | 130.00 |
| 品牌/商标 | ALR | 型号/规格 | EPCS4SI8N |
| 封装 | SO-8 | 批号 | 11 |
| 类型 | 单片机 |
| EPCS1, 4, 16, 64 Data Sheet |
| 8-SOIC |
| 100 |
| Integrated Circuits (ICs) |
| Memory - Configuration Proms for FPGA's |
| EPCS |
| In System Programmable |
| 4Mb |
| 3 V ~ 3.6 V |
| -40°C ~ 85°C |
| 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 8-SOIC |
| Tube |
| 648 (US2011 Interactive) 648 (US2011 PDF) |
| 544-1379-5 EPCS4SI8N-ND |
- 所属城市：广东 深圳
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MMBT5551LT1 功率三极管
信息内容：品牌/商标 ON 型号/规格 MMBT5551LT1 MMBT5401LT1 类别 贴片 结构 平面型 封装形式 塑料封装 材料 硅 极性 NPN型 电流容量 中功率 频率类型 高频 封装材料 塑料封装 应用范围 功率 参 数 名 称 符 号 测 试 条 件 最 小 最 大 单位 集电极--基极击穿电压 BVCBO IC=100μA,IE=0 180 V 集电极--发射极击穿电压 BVCEO IC=1mA,IB=0 160 V 发射极--基极击穿电压 BVEBO IE=100μA,IC=0 5 V 集电极--基极截止电流 ICBO VCB=120V,IE=0 200 nA 发射极--基极截止电流 IEBO VEB=4V,IC=0 200 nA 直流电流增益 hFE VCE=5V,IC=10mA 80 300 集电极--发射极饱和电压 VCE（sat） IC=50mA, ...
MMBT2907ALT1G功率三极管
信息内容：品牌/商标 ON 型号/规格 MMBT2907ALT1G 类别 贴片 结构 平面型 封装形式 塑料封装 材料 硅 极性 NPN型 电流容量 中功率 频率类型 高频 封装材料 塑料封装 应用范围 功率 贴片开关三极管 集电极--基极击穿电压 BVCBO IC=-100μA,IE=0 -60 V 集电极--发射极击穿电压 BVCEO IC=-1mA,IB=0 -60 V 发射极--基极击穿电压 BVEBO IE=-100μA,IC=0 -5 V 集电极--基极截止电流 ICBO VCB=-50V,IE=0 -100 nA 发射极--基极截止电流 IEBO VEB=-4V,IC=0 -100 nA 直流电流增益 hFE VCE=-10V,IC=-150mA 100 300 集电极--发射极饱和电压 VCE（sat） IC=-500mA, IB=-50mA -1.6 V
