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MMBT2907ALT1G功率三极管

价 格: 85.00

品牌/商标 ON 型号/规格 MMBT2907ALT1G
类别 贴片 结构 平面型
封装形式 塑料封装 材料
极性 NPN型 电流容量 中功率
频率类型 高频 封装材料 塑料封装
应用范围 功率

贴片开关三极管

集电极--基极击穿电压 BVCBO IC=-100μA,IE=0 -60   V
集电极--发射极击穿电压 BVCEO IC=-1mA,IB=0 -60   V
发射极--基极击穿电压 BVEBO IE=-100μA,IC=0 -5   V
集电极--基极截止电流 ICBO VCB=-50V,IE=0   -100 nA
发射极--基极截止电流 IEBO VEB=-4V,IC=0   -100 nA
直流电流增益 hFE VCE=-10V,IC=-150mA 100 300  
集电极--发射极饱和电压 VCE(sat IC=-500mA, IB=-50mA   -1.6 V

深圳市大芯半导体有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
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  • 联系人: 周渝杰
  • 电话:0755-83017626
  • 传真:0755-83017626
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信息内容:

品牌/商标 ONSEMI 型号/规格 MMBT8050LT1G MMBT8550LT1G 类别 贴片 结构 平面型 封装形式 塑料封装 材料 硅 极性 NPN型 电流容量 大功率 频率类型 高频 封装材料 塑料封装 应用范围 功率 供应MMBT8050LT1 MMBT8550LT1贴片三极管,SMD三极管800MA,有意者请联系集电极--基极击穿电压BVCBOIC=100μA,IE=040 V集电极--发射极击穿电压BVCEOIC=1mA,IB=025 V发射极--基极击穿电压BVEBOIE=100μA,IC=05 V集电极--基极截止电流ICBOVCB=35V,IE=0 150nA发射极--基极截止电流IEBOVEB=4V,IC=0 150nA直流电流增益hFEVCE=1V,IC=100mA85400 集电极--发射极饱和电压VCE(SAT)IC=800mA,IB=80mA 0.5V

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C ELECTRONIC FUSE 10DFN集成电路IC

信息内容:

品牌/商标 ON Semiconductor 型号/规格 NIS5135MN1TXG 封装 10-VFDFN 批号 New 类型 其他IC IC ELECTRONIC FUSE 10DFNCategory Integrated Circuits (ICs) Family PMIC - Current Regulation/Management Series -Function Electronic Fuse Sensing Method - Accuracy - Voltage - Input 3.1 V ~ 18 V Current - Output 3.6A Operating Temperature -40°C ~ 150°C Mounting Type Surface Mount Package / Case 10-VFDFN Exposed Pad

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