品牌/商标 | ON | 型号/规格 | MMBT2907ALT1G |
类别 | 贴片 | 结构 | 平面型 |
封装形式 | 塑料封装 | 材料 | 硅 |
极性 | NPN型 | 电流容量 | 中功率 |
频率类型 | 高频 | 封装材料 | 塑料封装 |
应用范围 | 功率 |
贴片开关三极管
集电极--基极击穿电压 | BVCBO | IC=-100μA,IE=0 | -60 | V | |
集电极--发射极击穿电压 | BVCEO | IC=-1mA,IB=0 | -60 | V | |
发射极--基极击穿电压 | BVEBO | IE=-100μA,IC=0 | -5 | V | |
集电极--基极截止电流 | ICBO | VCB=-50V,IE=0 | -100 | nA | |
发射极--基极截止电流 | IEBO | VEB=-4V,IC=0 | -100 | nA | |
直流电流增益 | hFE | VCE=-10V,IC=-150mA | 100 | 300 | |
集电极--发射极饱和电压 | VCE(sat) | IC=-500mA, IB=-50mA | -1.6 | V |
品牌/商标 ONSEMI 型号/规格 MMBT8050LT1G MMBT8550LT1G 类别 贴片 结构 平面型 封装形式 塑料封装 材料 硅 极性 NPN型 电流容量 大功率 频率类型 高频 封装材料 塑料封装 应用范围 功率 供应MMBT8050LT1 MMBT8550LT1贴片三极管,SMD三极管800MA,有意者请联系集电极--基极击穿电压BVCBOIC=100μA,IE=040 V集电极--发射极击穿电压BVCEOIC=1mA,IB=025 V发射极--基极击穿电压BVEBOIE=100μA,IC=05 V集电极--基极截止电流ICBOVCB=35V,IE=0 150nA发射极--基极截止电流IEBOVEB=4V,IC=0 150nA直流电流增益hFEVCE=1V,IC=100mA85400 集电极--发射极饱和电压VCE(SAT)IC=800mA,IB=80mA 0.5V
品牌/商标 ON Semiconductor 型号/规格 NIS5135MN1TXG 封装 10-VFDFN 批号 New 类型 其他IC IC ELECTRONIC FUSE 10DFNCategory Integrated Circuits (ICs) Family PMIC - Current Regulation/Management Series -Function Electronic Fuse Sensing Method - Accuracy - Voltage - Input 3.1 V ~ 18 V Current - Output 3.6A Operating Temperature -40°C ~ 150°C Mounting Type Surface Mount Package / Case 10-VFDFN Exposed Pad