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长期IRFB3207PBF增强型MOS管

价 格: 0.10

品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFB3207PBF
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 MOS-INM/独立组件
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 GE-N-FET锗N沟道
开启电压 --(V) 夹断电压 --(V)
低频跨导 --(μS) 极间电容 --(pF)
低频噪声系数 --(dB) 漏极电流 --(mA)
耗散功率 --(mW)

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深圳市福田区深广恒发电子商行
公司信息未核实
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  • 联系人: 陈海林
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IRF3205PBF增强型MOS管N沟道

信息内容:

品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF3205PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/独立组件 封装外形 SP/特殊外形 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 5(V) 夹断电压 5(V) 低频跨导 5(μS) 极间电容 5(pF) 低频噪声系数 5(dB) 漏极电流 5(mA) 耗散功率 5(mW) 长期供应原装IR系列场效应管:IRF3205PBF:IR 09+无铅长期供应原装IR系列场效应管:IRF3205PBF:IR 09+无铅长期供应原装IR系列场效应管:IRF3205PBF:IR 09+无铅长期供应原...

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长期IRFP260NPBF

信息内容:

品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFP260NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/独立组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-P-FET锗P沟道 开启电压 200(V) 夹断电压 200(V) 低频跨导 17(μS) 极间电容 4057(pF) 低频噪声系数 20(dB) 漏极电流 20000(mA) 耗散功率 30000(mW)

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