IRF3205PBF增强型MOS管N沟道
| 价 格： | 0.10 |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRF3205PBF |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-INM/独立组件 |
| 封装外形 | SP/特殊外形 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 5（V） | 夹断电压 | 5（V） |
| 低频跨导 | 5（μS） | 极间电容 | 5（pF） |
| 低频噪声系数 | 5（dB） | 漏极电流 | 5（mA） |
| 耗散功率 | 5（mW） |
长期供应原装IR系列场效应管： IRF3205PBF：IR 09+无铅 长期供应原装IR系列场效应管： IRF3205PBF：IR 09+无铅 长期供应原装IR系列场效应管： IRF3205PBF：IR 09+无铅 长期供应原装IR系列场效应管： IRF3205PBF：IR 09+无铅 长期供应原装IR系列场效应管： IRF3205PBF：IR 09+无铅 长期供应原装IR系列场效应管： IRF3205PBF：IR 09+无铅 长期供应原装IR系列场效应管： IRF3205PBF：IR 09+无铅 长期供应原装IR系列场效应管： IRF3205PBF：IR 09+无铅
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长期IRFP260NPBF
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFP260NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/独立组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-P-FET锗P沟道 开启电压 200（V） 夹断电压 200（V） 低频跨导 17（μS） 极间电容 4057（pF） 低频噪声系数 20（dB） 漏极电流 20000（mA） 耗散功率 30000（mW）
长期IR系列芯片IRF2804PBF
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF2804PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-INM/独立组件 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 40V（V）（V） 夹断电压 原厂标准（V） 低频跨导 原厂标准（μS） 极间电容 原厂标准（pF） 低频噪声系数 原厂标准（dB） 漏极电流 75（mA） 耗散功率 330（mW） 长期供应IR系列芯片IRF2804PBF 09+长期供应IR系列芯片IRF2804PBF 09+长期供应IR系列芯片IRF2804PBF 09+长期供应IR系列芯...
