场效应管HX18N50C TO-247
| 价 格： | 4500.00 |
| 品牌/商标 | HX(环鑫) | 型号/规格 | HX18N50C |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
| 开启电压 | 0.1（V） | 夹断电压 | 0.1（V） |
| 低频跨导 | 0.1（μS） | 极间电容 | 0.1（pF） |
| 低频噪声系数 | 0.1（dB） | 漏极电流 | 0.1（mA） |
| 耗散功率 | 0.1（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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场效应管HX630(TO-220,TO-220F)
信息内容：品牌/商标 HX(环鑫) 型号/规格 HX630(TO-220,TO-220F) 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 IGBT绝缘栅比极 开启电压 0.1（V） 夹断电压 0.1（V） 低频跨导 0.1（μS） 极间电容 0.1（pF） 低频噪声系数 0.1（dB） 漏极电流 0.1（mA） 耗散功率 0.1（mW）
场效应管HX50N06(TO-220)
信息内容：品牌/商标 HX(环鑫) 型号/规格 HX50N06(TO-220) 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-ARR/陈列组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.1（V） 夹断电压 0.1（V） 极间电容 0.1（pF） 低频噪声系数 0.1（dB） 漏极电流 0.1（mA） 耗散功率 0.1（mW） 现货长期供应全新场效应管HX50N06 TO-220 质量保证.货源充足,有实力的公司可以支持月结,欢迎来电HX50N06 TO-220 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻...
