场效应管HX50N06(TO-220)
| 价 格： | 1.20 |
| 品牌/商标 | HX(环鑫) | 型号/规格 | HX50N06(TO-220) |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | MOS-ARR/陈列组件 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 0.1（V） | 夹断电压 | 0.1（V） |
| 极间电容 | 0.1（pF） | 低频噪声系数 | 0.1（dB） |
| 漏极电流 | 0.1（mA） | 耗散功率 | 0.1（mW） |
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HX50N06 TO-220 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
∗ 50A，60V，RDS(on)=0.022Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了dv/dt 能力
其它规格：1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60 830 840 730 740 640 630
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场效应管HX6N60(TO-220,TO-220F
信息内容：品牌/商标 HX(环鑫) 型号/规格 HX6N60(TO-220,TO-220F) 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MOS-ARR/陈列组件 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 0.1（V） 夹断电压 0.1（V） 低频跨导 0.1（μS） 极间电容 0.1（pF） 低频噪声系数 0.1（dB） 漏极电流 0.1（mA） 耗散功率 0.1（mW） 现货供应全新场效应管HX6N60(TO-220,TO-220F)质量保证.货源稳定.有实力的公司可以月结.欢迎来电现货长期供应全新场效应管HX6N60 TO-220/TO-220F 质量保证.货源...
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信息内容：品牌/商标 乐山无线电 型号/规格 L9014*LT1G 应用范围 开关 功率特性 小功率 频率特性 中频 极性 NPN型 结构 扩散型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 树脂封装 截止频率fT 0.1（MHz） 集电极允许电流ICM 0.1（A） 集电极耗散功率PCM 0.1（W） 营销方式 现货 产品性质 热销
