场效应管 WFW9N90
| 价 格： | 2.90 |
| 品牌/商标 | Wisdom | 型号/规格 | WFW9N90 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 开启电压 | 0.1（V） |
| 夹断电压 | 0.1（V） | 低频跨导 | 0.1（μS） |
| 极间电容 | 0.1（pF） | 低频噪声系数 | 0.1（dB） |
| 漏极电流 | 0.1（mA） | 耗散功率 | 0.1（mW） |
韩国进口产品现货、质量稳定、价格合理
现货供应WFW9N90C(TO-247))质量保证.货源稳定.有实力的公司可以月结.欢迎来电
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WFW9N90 TO-247 N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用平面VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PMW马达驱动。
∗ 9A，900V，RDS(on)=1.4Ω@VGS=10V
∗ 低栅极电荷量
∗ 低反向传输电容
∗ 开关速度快
∗ 提升了dv/dt 能力
其它规格：1N60 2N60 4N60 5N60 7N60 8N60 10N60 12N60 830 840 730 740 640 630
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 蒋德平
- 电话：0755-89516539
- 传真：0755-89516539
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场效应管1N60 TO-92
信息内容：品牌/商标 Wisdom 型号/规格 WFN1N60 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 0.1（V） 夹断电压 0.1（V） 低频跨导 0.1（μS） 极间电容 0.1（pF） 低频噪声系数 0.1（dB） 漏极电流 0.1（mA） 耗散功率 0.1（mW）
场效应管HX18N50C TO-247
信息内容：品牌/商标 HX(环鑫) 型号/规格 HX18N50C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 0.1（V） 夹断电压 0.1（V） 低频跨导 0.1（μS） 极间电容 0.1（pF） 低频噪声系数 0.1（dB） 漏极电流 0.1（mA） 耗散功率 0.1（mW）
