| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | FDN357NBSS138 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 30(V) |
| 夹断电压 | 10(V) | 跨导 | 0(μS) |
| 极间电容 | 0(pF) | 低频噪声系数 | 0(dB) |
| 漏极电流 | 0(mA) | 耗散功率 | 0(mW) |
SOT-23 12V-400V, N沟MOSFET
| FDN357N |
| SOT-23-3 |
| High Voltage Switches for Power Processing |
| Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
| SuperSOT-3, SOT-23 |
| 3,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| - |
| MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 逻辑电平门 |
| 60 毫欧 @ 2.2A, 10V |
| 30V |
| 1.9A |
| 2V @ 250µA |
| 5.9nC @ 5V |
| 235pF @ 10V |
| 460mW |
| 表面贴装 |
| TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| 带卷 (TR) |
| 3-SSOT |
| 1554 (CN2010-11 Interactive) 1554 (CN2010-11 PDF) |
| FDN357NTR |
品牌/商标 FSC 型号/规格 FDN340P 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 CHIP/小型片状 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 20(V) 夹断电压 20(V) 极间电容 779(pF) 漏极电流 2000(mA) 耗散功率 460(mW)
品牌/商标 其他 型号/规格 NDS356AP 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 30(V) 夹断电压 10(V) 跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW) SOT-23 12V-400V, P沟MOSFET数据列表NDS356AP产品相片SOT-23-3产品培训模块High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch产品变化通告Mold Compound Change 07/Dec/2007Mold Compound Change 08/April/2008产品目录绘图SuperSOT-3, SOT-23标准包装3,000类别分离...