品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | FDN357NBSS138 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 封装外形 | SMD(SO)/表面封装 |
材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 30(V) |
夹断电压 | 10(V) | 跨导 | 0(μS) |
极间电容 | 0(pF) | 低频噪声系数 | 0(dB) |
漏极电流 | 0(mA) | 耗散功率 | 0(mW) |
SOT-23 12V-400V, N沟MOSFET
FDN357N |
SOT-23-3 |
High Voltage Switches for Power Processing |
Mold Compound Change 07/Dec/2007 Mold Compound Change 08/April/2008 |
SuperSOT-3, SOT-23 |
3,000 |
分离式半导体产品 |
FET - 单路 |
- |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
逻辑电平门 |
60 毫欧 @ 2.2A, 10V |
30V |
1.9A |
2V @ 250µA |
5.9nC @ 5V |
235pF @ 10V |
460mW |
表面贴装 |
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
带卷 (TR) |
3-SSOT |
1554 (CN2010-11 Interactive) 1554 (CN2010-11 PDF) |
FDN357NTR |
品牌/商标 FSC 型号/规格 FDN340P 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 CC/恒流 封装外形 CHIP/小型片状 材料 GE-N-FET锗N沟道 开启电压 20(V) 夹断电压 20(V) 极间电容 779(pF) 漏极电流 2000(mA) 耗散功率 460(mW)
品牌/商标 其他 型号/规格 NDS356AP 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 30(V) 夹断电压 10(V) 跨导 0(μS) 极间电容 0(pF) 低频噪声系数 0(dB) 漏极电流 0(mA) 耗散功率 0(mW) SOT-23 12V-400V, P沟MOSFET数据列表NDS356AP产品相片SOT-23-3产品培训模块High Voltage Switches for Power ProcessingSMPS Power Switch产品变化通告Mold Compound Change 07/Dec/2007Mold Compound Change 08/April/2008产品目录绘图SuperSOT-3, SOT-23标准包装3,000类别分离...